삼성전자가 최첨단 반도체 위탁생산(파운드리) 기술인 10nm(나노미터) 3세대 공정을 공개했다.
3일 삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열고 14나노와 10나노 LPU(Low Power Ultimate) 기술을 선보였다.
업계 최초로 지난달 중순 10나노 1세대 공정 양산에 돌입한 삼성전자는 이날 10나노 3세대 공정 기술까지 공개하며 공정 확대 계획을 발표했다.
삼성전자가 공개한 두 기술은 고성능·저전력에 특화됐다.
14나노 4세대 공정인 14LPU는 3세대 LPC(Low Power Compact) 공정과 같은 전력을 사용하지만 성능은 더 뛰어나다.
특히, 3세대 10나노 공정인 10LPU는 이전 세대 공정인 LPE(Low Power Early)와 LPP(Low Power Performance)와 같은 성능이지만 면적을 줄인 것이 특징이다.
10나노 공정 양산을 위해서는 14나노 공정보다 훨씬 정교하고 미세한 회로를 그려 넣는 패터닝 작업을 필요로한다.
미세공정 패터닝 기술의 한계로 극자외선(EUV) 기술이 도입되는 7나노 공정 양산이 이뤄지기 전까지는 10LPU가 비용 대비 효율이 가장 뛰어난 공정이 될 것으로 예상된다.
삼성전자는 이와 함께 7나노 EUV 웨이퍼와 EUV 공정 개발 현황도 밝혔다.
파운드리 최대 경쟁업체인 대만의 TSMC 등이 7나노 공정을 본격화하겠다고 밝힌 가운데 삼성전자가 7나노 기술을 전격 공개한 것이다.
다만 업계는 초기 비용 등을 고려해 삼성전자가 당장 7나노에 진입하기보다 당분간 10나노 기술에 주력할 것으로 관측하고 있다.
