메모리 반도체 시장 글로벌 1위 삼성전자가 낸드플래시 부문에서 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했다고 밝혔다. 또 향후 1000단 낸드 시대를 주도해나가겠다며 자신감을 드러냈다.
9일 송재혁 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장 부사장은 전날 삼성 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 “삼성전자는 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보했다”며 “시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다”고 밝혔다.
낸드플래시 메모리는 데이터를 저장하는 용도의 반도체다. 과거에는 평면상에서 칩을 작게 구현하는 2차원 구조였으나, 한정된 공간에 수많은 데이터를 담아야 하기 때문에 기존의 2차원 구조는 한계에 부딪혔다.
이에 삼성전자는 2013년 수직으로 쌓아 올린 3차원 공간에 구멍을 내어 각 층을 연결하는 제품, 이른바 ‘V(Vertical) 낸드’를 세계 최초로 개발했다. 낸드플래시 제품을 3D(3차원)라고 부르는 것도 이 때문이다.
송 부사장은 “2013년 당시 혁신이었던 3D 수직 구조의 V낸드는 이제 반도체 업계의 표준처럼 보편화된 기술이 됐다”며 “24단부터 시작된 V낸드의 단수는 현재 200단에 근접해 있다”고 말했다.
삼성전자가 올 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켰다. 체적이 최대 35%까지 줄어든 것이다. 삼성은 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀 간 간섭현상도 제어했다.
송 부사장은 “삼성전자는 업계에서 유일하게 한 번에 100단 이상을 쌓고 십억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글스택 에칭 기술력을 갖췄다”며 “작은 셀 크기와 압도적인 싱글스택 에칭 기술력을 기반으로, 향후 수백단 이상의 초고단 V낸드를 한발 앞서 구현할 수 있는 기술력을 확보하고 있다”고 설명했다.
이어 “삼성전자 V낸드는 1000단 이상을 바라본다. 3차원 스케일링 기술을 통해 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복하겠다”며 “미래 1000단 V낸드 시대에도 삼성전자는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것”이라고 말했다.
