이번에 개발한 제조공정기술은 0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 하고 있다고 21일 밝혔다.
최근 퀄컴 등 반도체 설계 전문기업들이 전력반도체를 설계할 때 칩 사이즈 최소화를 위해 기존 0.18에서 0.13미크론급으로 개발공정을 미세화하고 있으며 동부하이텍도 이에 맞춰 해당 공정을 개발해 관련 파운드리 시장을 선점한다는 전략이다.
스마트폰에는 보통 7~8개의 전력반도체가 들어간다. 동부하이텍이 개발한 이번 공정기술은 스마트폰의 핵심부품인 어플리케이션프로세서(AP)와 베이스밴드칩(BB, 모뎀칩)에 전력을 공급하는 전력반도체 제조에 최적화돼 있다.
AP와 베이스밴드칩은 최근 스마트폰의 기능이 늘어남에 따라 더욱 방대하고 다양한 데이터를 처리하게 돼, 이와 연동되는 전력반도체도 미세화 공정이 필요하다.
동부하이텍 관계자는 "AP와 베이스밴드칩용 전력반도체는 다양한 기능으로 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 대략 2달러 수준이다"며 "성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극 공략해 지속적인성장을 이뤄나갈 계획"이라고 밝혔다.
한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면, 스마트폰 및 태블릿용 전력반도체 시장은 작년 24억달러에서 올해 약 30억달러 규모로 성장하고, 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률을 보이며 약 35억달러 규모의 시장을 형성할 전망이다.
저작권자 © 증권일보 무단전재 및 재배포 금지
